商品名称：电子元器件权威技术指南（图文版） 电子技术半导体电子器件美国电子设备学会电子元器件

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目录\
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序\
导言\
对本书有贡献者\
致谢\
介绍：发展历史\
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DIYI部分：基本电子设备\
1　双极晶体管\
　John D. Cressler and Katsuyoshi Washio\
1.1　动机\
1.2　pn结及其电子应用\
1.3　双极结晶体管及其电子应用\
1.4　双极晶体管的优化\
1.5硅锗异质结双极晶体管\
参考文献\
2　MOSFETs\
Hiroshi　Iwai, Simon Min Sze, Yuan Taur and Hei Wong\
2.1　MOSFET介绍\
2.2　MOSFET基础\
2.3　MOSFET演化\
2.4　结束语\
参考文献\
3　内存设备\
Kinam　Kim and Dong Jin Jung\
3.1　介绍\
3.2　挥发性存储器\
3.3　非挥发性存储器\
3.4　MOS存储展望\
3.5　结束语\
参考文献\
4　被动元件\
Joachim　N. Burghartz and Colin C. McAndrew\
4.1　离散和集成的被动元件\
4.2　模拟IC和DRAM应用\
4.3　案例研究----平面螺旋电感\
4.4　集成电路中的寄生应用\
参考文献\
5　新兴设备\
Supriyo　Bandyopadhyay, Marc Cahay and Avik W. Ghosh\
5.1　不可充电开关\
5.2　硅的替代物碳和石墨烯电子学和分子电子学的兴起\
5.3　结束语\
　参考文献\
\
第二部分　电子设备和IC制造\
6　电子材料\
James　C. Sturm, Ken Rim, James S. Harris and Chung-Chih Wu\
6.1　介绍\
6.2　硅设备技术\
6.3　化合物半导体设备\
6.3.1　金属半导体场效应晶体管（MESFETs）\
6.3.2　高电子移动性晶体管（HEMTs）\
6.3.3　异质结双极晶体管（HBT）\
6.3.4　光电器件\
\
6.4　电子显示\
6.4.1　1930-2000年代：阴极射线管（CRT）\
6.4.2　1990-2000年代：等离子平板显示器（PDP）\
6.4.3　1990年代-现在：有源矩阵液晶显示器（AMLCD）和电泳墨水（E-ink）\
6.4.4　2000年-现在：有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）\
\
6.5　结束语\
　参考文献\
7　紧凑建模\
Colin　C. McAndrew and Laurence W. Nagel\
7.1　紧凑模型的角色\
7.2　双极晶体管紧凑建模\
7.3　MOS晶体管紧凑建模\
7.4　无源器件的紧凑建模\
7.5　基准测试和实践\
参考文献\
8　计算机辅助设计（CAD）技术\
David　Esseni, Christoph Jungemann, J¨urgen Lorenz, Pierpaolo Palestri,\
Enrico　Sangiorgi and Luca Selmi\
8.1　介绍\
8.2　飘移扩散模型\
8.3　微观传输模型\
8.4　数量传输模型\
8.5　过程和设备仿真\
参考文献\
9　电子设备、连接和电路的可靠性\
Anthony　S. Oates, Richard C. Blish, Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak\
9.1　介绍和背景\
9.2　设备可靠性描述\
9.3　电路级可靠性描述\
9.3.1　单事件翻转引起的软故障\
9.3.2　IC中的机械应力效应\
9.4　保证IC可靠性的微观方法\
参考文献\
10　半导体制造\
Rajendra　Singh, Luigi Colombo, Klaus Schuegraf, Robert Doering and Alain Diebold\
10.1　介绍\
10.2　摘要\
10.3　光刻和蚀刻\
10.4　前端处理\
10.5　后端处理\
10.6　过程控制\
10.7　装配和测试\
10.8　发展方向\
　参考文献\
\
第三部分　基于电子设备的应用\
11　VLSI技术和电路\
Kaustav　Banerjee and Shuji Ikeda\
11.1　介绍\
11.2　MOSFET扩展技术\
11.3　低耗高速逻辑设计\
11.4　缩放驱动技术的改进\
11.5　低压晶体管\
11.6　相互连接\
11.7　存储\
11.8　系统集成\
　参考文献\
12　混合信号技术和集成电路\
Bin　Zhao and James A. Hutchby\
12.1　介绍\
12.2　扩展CMOS中的模拟/混合信号技术\
12.3　数据转换器IC\
12.4　低耗显示中的混合信号电路\
12.5　图像传感器技术和电路\
参考文献\
13　内存技术\
Stephen　Parke, Kristy A. Campbell and Chandra Mouli\
13.1　半导体内存历史\
13.2　主流半导体内存\
13.2.1　DRAM\
13.2.1　DRAM\
13.2.2　NAND闪存\
13.3　内存技术展望\
13.3.1　磁化基器件\
13.3.2　PCRAM器件\
13.3.3　CBRAM器件\
\
13.4　技术语\
参考文献\
14　RF和微波半导体技术\
Giovanni　Ghione, Fabrizio Bonani, Ruediger Quay and Erich Kasper\
14.1　GaA和InP\
14.2　硅和硅锗\
14.3　宽带隙设备\
参考文献\
15　功率设备和IC\
Richard　K. Williams, Mohamed N. Darwish, Theodore J. Letavic and Mikael O¨ stling\
15.1　功率设备和IC概观\
15.2　双负载和高耗设备\
15.3　MOSFET功率设备\
15.4　高电压和电源IC\
15.5　宽带隙功率设备\
参考文献\
16　光伏设备\
Steven　A. Ringel, Timothy J. Anderson, Martin A. Green, Rajendra Singh and Robert J. Walters\
16.1　介绍\
16.2　硅光伏\
16.3　多晶硅薄膜光伏\
16.4　3-4级化合物光伏\
16.5　光伏展望\
参考文献\
17　大区域电子\
Arokia　Nathan, Arman Ahnood, Jackson Lai and Xiaojun Guo\
17.1　薄膜太阳能电池\
17.1.1　简介\
17.1.2　非晶、纳米和微晶硅\
17.1.3　碲化镉（CdTe）\
17.1.4　硫化物\
17.1.5　有机物和聚合物\
17.2　大区域影像\
17.2.1　介绍和应用\
17.2.2　成像结构\
17.2.3　挑战\
17.2.4　未来展望和发展\
\
17.3　平板显示\
参考文献\
18　微电子机械系统\
Darrin　J. Young and Hanseup Kim\
18.1　介绍\
18.2　60年代----ZUI早的微机器结构\
18.3　70年代----集成的传感器\
18.4　80年代----表面微机器\
18.5　90年代----各种领域的MEMS\
18.6　二十一世纪----MEMS驱动的多元化复杂系统\
18.7　未来展望\
参考文献\
19　真空装置的应用\
David　K. Abe, Baruch Levush, Carter M. Armstrong,\
Thomas　Grant and William L. Menninger\
19.1　介绍\
19.2　行波装置\
19.3　调速管\
19.4　诱导输出管\
19.5　正交场设备\
19.6　陀螺装置\
参考文献\
20光电设备\
Leda　Lunardi, Sudha Mokkapati and Chennupati Jagadish\
20.1　介绍\
20.2　半导体中的光发射\
20.3　光电探测器\
20.4　集成光电子学\
20.4.1　集成的光源\
20.4.2　集成的检测器\
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20.5　光互连\
20.6　结束语\
　参考文献\
21　后CMOS时代设备\
Wilfried　Haensch\
21.1　介绍\
21.2　用于8纳米节点的设备\
21.3　新的材料和设备\
21.3.1　碳纳米管（CNTs）\
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21.4　结束语\
参考文献\
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这本书是ZUI先进的电子器件的简洁的指南，由EDS的67位专家成员撰写。在全书21章中，专家们分享了它们在电子器件各个领域的专业知识。这些章节描述了各种各样的电子器件，这种多样性也正是EDS面临的现实。来自产业界、学术界、政府部门的专家对本书也有诸多贡献。作者来自五大洲，这是一个真正世界级的团队，包括了dingji的管理者、年轻的工程师、著名的大学教授和年轻的学者。编辑因此试图保持明显不同的风格，以反应区域、背景和隶属关系的差异。\ \\ \ \
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这本书是ZUI先进的电子器件的简洁的指南，由EDS的67位专家成员撰写。在全书21章中，专家们分享了它们在电子器件各个领域的专业知识。这些章节描述了各种各样的电子器件，这种多样性也正是EDS面临的现实。来自产业界、学术界、政府部门的专家对本书也有诸多贡献。作者来自五大洲，这是一个真正世界级的团队，包括了dingji的管理者、年轻的工程师、著名的大学教授和年轻的学者。编辑因此试图保持明显不同的风格，以反应区域、背景和隶属关系的差异。 大部分作者是EDS的14TAC（技术专业委员会，Technical Area Committee）的成员，这个专委会利用其专业知识帮助执行委员会和管理层做出战略决策。EDS现在的TAC见表1。 1963年成立的IEEE（国际电子电气工程师协会）脱胎于1884年成立的AIEE（美国电子工程师协会）和1912年成立的IRE(无线电工程师协会)。在晶体管发明后不久的1952年，IRE建立了“电子管和固态器件委员会”，在电子器件界颇有影响。1952年，改委员会更名为“IRE电子器件专家组”。随着AIEE和IRE的合并，在1964年成立了“IEEE电子器件组”，1976年该组织更名为EDS（IEEE电子器件学会）。 \ \\ \ \
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全彩精装，IEEE和EDS（Electron Devices Society）联合打造，电子元器件quanwei指南，由EDS的67位专家成员撰写，《无线电》特别推荐图书\ \

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Q:“不当使用他人权利”是指不当使用他人的哪些权利？
A:包括但不限于商标权（除假冒商品）、著作权（除）、专利权等法律规定的权利。

Q:夸大或过度承诺商品效果及程度
A:案例1：全网最高、最低、最热等最高级描述; 案例2：假一罚万，考试必过、N天见效、无任何副作用、立竿见影、想瘦就瘦等夸大效果的描述。 案例3：虚拟商品标题或描述中已写明详细区服的情况下，带有'全区全服有货'字样的商品。 案例4：非药品进行药效功效类夸大宣传的。

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